日本NAGANO KEIKI长野计器ZT17（200℃）高温压力传感器｜半导体行业典型应用案例

日本 NAGANO KEIKI 长野计器 ZT17（200℃）高温压力传感器｜半导体行业典型应用案例

应用点位：前驱体固态源气化管路、高温输送管线、反应腔上游供气支路

工况特点：固态前驱体需要加热至 150~200℃实现气化，管路介质长期高温；传统填充液传感器容易出现密封液析出、污染高纯工艺气体。

✅ ZT17 优势：无填充液结构杜绝介质污染；传感探头直接耐受 200℃，无需加长引压冷却管路，消除压力滞后，稳定监控气化源供给压力，保障薄膜沉积均匀性。

应用点位：高温工艺气体输送管线、远程等离子源供气回路

工况：部分刻蚀工艺气体预热至 180~200℃进入腔体，压力波动直接影响刻蚀速率与形貌。

解决痛点：省去冷却盘管，简化设备管路布局；高温区间维持测量精度，实现压力闭环控制，稳定晶圆良率。

应用点位：超临界 CO₂管路、加热段流体压力监测

工况：流体温度接近 200℃、高压工况，对传感器洁净度、耐温能力双重要求。

行业痛点：普通传感器耐温不足，增加换热结构造成设备体积庞大。ZT17 探头直接原位测量，适配半导体晶圆精密清洗设备。

应用点位：高温掺杂气体供给管路

高温掺杂源气化输送系统，持续 150~200℃，实时监控供气压力，保障注入剂量稳定。

应用点位：炉前高温工艺气体输送支管

炉管配套高温载气管路，监测进气压力，防止压力异常造成晶圆氧化不均。

半导体设备*普遍落地场景。

很多前驱体（钨源、铝源、各类金属有机源）需要 160~200℃加热气化。

传统方案：传感器外置 + 长引压管降温，气体容易冷凝、源材析出堵塞管路。

采用 ZT17（200℃）：传感器直接安装在气化器出口高温段，杜绝前驱体冷凝堵塞，实时采集气化输出压力，是国内外半导体设备厂商成熟选型方案。

气体管路分区，部分特种气体管路伴热至 200℃防止凝结；搭配 VCR 洁净接口，适配高纯腐蚀性工艺气体压力监测。

碳化硅、氮化硅制造设备高温沉积、刻蚀工艺，大量 200℃以内高温气路，同样广泛选用 ZT17 200℃版本。